FD150R12RT4HOSA1 SP000711858 Infineon Модуль IGBT 1200V 150A IGBT
FD150R12RT4
Изготовитель: Infineon
Тип продукта: Модули IGBT
Конфигурация: Одиночный
Напряжение тока VCEO коллектор- эмиттера максимальное: 1,2 kV
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера: 2,15 v
Непрерывное течение сборника на 25 c: 150 a
течение утечки Ворот-излучателя: nA 100
диссипация Pd-силы: 790 w
Минимальная работая температура: - 40 c
Максимальная работая температура: + 150 c
Пакет: Поднос
Напряжение тока ворот/излучателя максимальное: 20 v
Стиль установки: SMD/SMT
Серия: Канава/Fieldstop IGBT4
Пакуя количество: 10 PCS
Subcategory: IGBTs
Наши продукты продаются по всему миру, поэтому вы можете быть уверены в том, что производятся наши продукты в целом.
