FF200R17KE4HOSA1 SP000713374 Infineon СИЛА 62MM МОДУЛЯ IGBT СРЕДНЯЯ
FF200R17KE4
Изготовитель: Infineon
Тип продукта: Модули IGBT
Конфигурация: Двойной
Напряжение тока VCEO коллектор- эмиттера максимальное: 1,7 kV
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера: 2,3 v
Непрерывное течение сборника на 25 c: 310 a
течение утечки Ворот-излучателя: nA 100
диссипация Pd-силы: W 1250
Пакет/коробка: Модуль
Минимальная работая температура: - 40 c
Максимальная работая температура: + 150 c
Пакет: Поднос
Напряжение тока ворот/излучателя максимальное: 20 v
Устанавливать стиль: Держатель шасси
Серия: FFXR17K4H
Пакуя количество: 10 PCS
Subcategory: IGBTs
Технология: Канава/диафрагма поля зрения
Наши продукты продаются по всему миру, поэтому вы можете быть уверены в том, что производятся наши продукты в целом.
