F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 Infineon НИЗКАЯ МОЩНОСТЬ модуля IGBT ЛЕГКАЯ
F3L75R12W1H3B27BOMA1
Изготовитель: Infineon
Тип продукта: Модули IGBT
Конфигурация: трехфазный инвертор
Напряжение тока VCEO коллектор- эмиттера максимальное: 1,2 kV
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера: 1,45 v
Непрерывное течение сборника на 25 c: 45 a
течение утечки Ворот-излучателя: nA 100
диссипация Pd-силы: 275 w
Пакет/коробка: EasyPack1B
Минимальная работая температура: - 40 c
Максимальная работая температура: + 150 c
Пакет: Поднос
Напряжение тока ворот/излучателя максимальное: 20 v
Серия: Высокоскоростное IGBT H3
Пакуя количество: 24 PCS
Subcategory: IGBTs
Технология: Si
Наши продукты продаются по всему миру, поэтому вы можете быть уверены в том, что производятся наши продукты в целом.
