STGWA20H65DFB2 ST Транзистор 20 A высокоскоростной HB2 серии IGBT TO-247

Производитель: STMicroelectronics
Категория продукции: IGBT транзисторы
Технология: Си
Пакет/дело: TO-247-3
Стил установки: через отверстие
Конфигурация: одиночная
Максимальное напряжение коллектора-излучателя VCEO: 650 В
Напряжение насыщения коллектора-излучателя: 1,65 В
Максимальное напряжение ворот/излучателей: - 20 В, 20 В
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 40 A
Pd-рассеивание мощности: 147 Вт
Минимальная рабочая температура: - 55 C
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Пакет: трубка
Бренд: STMicroelectronics
Ток утечки от порта-излучателя: 250 нА
Тип продукции: IGBT транзисторы
Количество упаковки: 600 шт.
Подкатегория: IGBT
Единичная масса: 6,100 г