IPP65R190CFD7XKSA1 Infineon Mosfet высокая мощность TO-220-3

IPP65R190CFD7XKSA1 Инфинионный МОСФЕТ высокой мощности Новый к-220-3

IPP65R190CFD7

IPP65R190CFD

Производитель: Infineon
Категория продукции: MOSFET
Технология: Си
Стиль установки: через отверстие
Пакет/коробка: TO-220-3
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Напряжение разрыва источника отвода ВДС: 650 В
Id - непрерывный отводный ток: 12 A
Rds Сопротивление на источнике оттока: 190 мОмм
Vgs - напряжение порта: - 20 V, + 20 V
Vgs th пороговое напряжение порта-источника: 4,5 V
Заряд Qg-gate: 23 nC
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: +150 C
Расход энергии Pd: 63 Вт
Режим канала: Усиление
Пакет: трубка
Количество упаковки: 500 шт.
Номер части псевдоним: IPP65R190CFD7 SP005413377